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SD6853/SD6854 內置高壓MOS管的原邊控制開關電源
文章來源: 更新時間:2011/12/15 12:36:00
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杭州士蘭微電子公司在綠色電源控制器領域繼續推出新品----內置650V高壓MOS管的原邊控制開關電源SD6853/6854。該產品帶有可編程的線損補償和峰值電流補償功能,采用PFM調制技術,提供精確的恒壓/恒流(CV/CC)控制環路,具有非常高的穩定性和平均效率。廣泛適用于手機充電器、小功率適配器、待機電源、MP3及其他便攜式設備。

SD6853/6854是離線式開關電源集成電路,內置高壓MOS管、帶有線損補償和峰值電流補償的高端開關電源控制器,采用了士蘭微電子自主知識產權的專利技術。通過檢測變壓器原級線圈的峰值電流和輔助線圈的反饋電壓,間接控制系統的輸出電壓和電流,從而達到輸出恒壓或者恒流的目的。在一定的輸出功率范圍內,可通過反饋電阻設定輸出電壓;可通過峰值電流采樣電阻設定輸出電流。也可以根據需要設置線損補償和峰值電流補償,以達到最佳的輸出電壓、輸出電流的調整率。

正常的工作周期分為峰值電流檢測和反饋電壓檢測:當MOS管導通,通過采樣電阻檢測原級線圈的電流,輸出電容對負載供電,輸出電壓VOUT下降;當原級線圈的電流到達峰值時,MOS管關斷,檢測FB端電壓,存儲在次級線圈的能量對輸出電容充電,輸出電壓VOUT上升,并對負載供電。當同時滿足恒壓、恒流環路控制的開啟條件后,MOS管才開啟,芯片再次進入峰值電流檢測。

此外,芯片內部集成了溫度保護電路,環路開路保護、限流電路、過壓保護、欠壓鎖定等多重功能電路,以保證芯片的工作環境正常,延長其使用壽命。

目前,SD6853提供4.0W輸出功率(5V /800mA),SD6854提供5.0W輸出功率(5V /1A),平均效率大于68%(采用1.8米AWG28線纜),待機功耗小于100mW,輸出電壓的負載調整率優于±4.0%,輸出電壓的輸入線電壓調整率優于±0.6%,整機對空氣的ESD能力大于±15KeV。后續SD6853提供輸出功率范圍可達到3W~5W,SD6854提供輸出功率范圍可達到5W~12W。

SD6853/6854基于士蘭微電子自行研發的0.8微米BiCMOS/BCD工藝制造,采用了內置高壓MOS管的DIP-8A封裝形式,具有集成度高、占板面積小、便于整機調試等突出的特點。采用SD6853/6854設計整機系統,無需光耦和Y電容,可省去次級反饋控制、環路補償,僅需極少的外圍元器件即可構成完整的電源系統,大幅節省了系統耗電并縮小了電路板體積,有利于用戶精簡設計布局,降低開發和制造成本。

小型充電設備今后的發展趨勢是更低的低待機功耗和更高的能量轉換效率,士蘭微電子將持續在該領域投入研發力量,不斷推出新品。預計2012年上半年將推出升級版SD6852/6853/6854,滿足能源之星2.0標準、LEVEL 5規格的電路,待機功耗小于30mW,平均效率可以達到70%。

 
 
 
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