偶然看了兩篇有關磁珠的專家博文，這兩篇博文都是講磁珠的。其中一篇是講磁珠與電感的區別，另一篇講磁珠其實就是一電阻特性，其實這樣的說法都是不準確的。
磁珠(Ferrite bead)的等效電路是一個DCR電阻串聯一個電感并聯一個電容和一個電阻。DCR是一個恒定值，但后面三個元件都是頻率的函數，也就是說它們的感抗、容抗和阻抗會隨著頻率的變化而變化，當然它們阻值、感值和容值都非常小。
從等效電路中可以看到，當頻率低于fL(LC諧振頻率)時，磁珠呈現電感特性；當頻率等于fL時，磁珠是一個純電阻，此時磁珠的阻抗(impedance)最大；當頻率高于諧振頻率點fL時，磁珠則呈現電容特性。EMI選用磁珠的原則就是磁珠的阻抗在EMI噪聲頻率處最大。比如如果EMI噪聲的最大值在200MHz，那你選擇的時候就要看磁珠的特性曲線，其阻抗的最大值應該在200MHz左右。
圖1是一個磁珠的實際特性曲線圖。大家可以看到這個磁珠的峰值點出現在1GHz左右，在峰點時，阻抗(Z)曲線的值與電阻(R)的相等。也就是說這個磁珠在1GHz時，是個純電阻，而且阻抗值最大。
圖1：磁珠的實際特性曲線圖。
前面簡單介紹了EMI磁珠的基本特性曲線。從磁珠的阻抗曲線來看，其實它的特性就是可以用來做高頻信號濾波器。需要注意的是，通常大家看到的廠家提供的磁珠阻抗曲線，都是在無偏置電流情況下測試得到的曲線。
但大部分磁珠通常被放在電源線上用來濾除電源的EMI噪聲。在有偏置電流的情況下，磁珠的特性會發生一些變化。圖2是某個0805尺寸500mA的磁珠在不同的偏置電流下的阻抗曲線。大家可以看到，隨著電流的增加，磁珠的峰值阻抗會變小，同時阻抗峰值點的頻率也會變高。
圖2：0805尺寸500mA的磁珠在不同的偏置電流下的阻抗曲線。
在進一步闡述磁珠的特性之前，讓我們先來看一下磁珠的主要特性指標的定義：
Z(阻抗，impedance ohm):磁珠等下電路中所有元件的阻抗之和，它是頻率的函數。通常大家都用磁珠在100MHz時的阻抗值作為磁珠阻抗值。
DCR(ohm): 磁珠導體的直流電阻。
額定電流：當磁珠安裝于印刷線路板并加入恒定電流，自身溫升由室溫上升40C時的電流值。
那么EMI磁珠有成千上萬種，阻抗曲線也各不相同，我們應該如何根據我們的實際應用選擇合適的磁珠呢？讓我們首先來看一下阻抗值同為600ohm@100MHz但尺寸大小不同的磁珠在不同偏置電流和工作頻率下的特性。
表1是四個不同大小的磁珠分別工作在0A，100mA偏置電流及在100MHz、500MHz和1GHz工作頻率下的阻抗值。
表1：不同大小磁珠在不同偏置電流和工作頻率下的特性。
從測試數據中可以看出，1206尺寸的磁珠在低頻100MHz工作時，其阻抗值僅從0A下的600ohm減小到100mA偏置電流下的550ohm，而0402尺寸的磁珠阻抗值卻從0A下的600ohm大幅減小為175ohm。由此看來，在低頻大偏置電流應用的情況下，應該選擇大尺寸的磁珠，其阻抗特性會更好一些。
讓我們來看一下磁珠在高頻工作時的情形。1206尺寸的磁珠其1GHz下的阻抗從100MHz下的600ohm大幅減小為105ohm，而0402尺寸的磁珠其1GHz下的阻抗則只由100MHz下的600ohm小幅減小為399ohm。這也就是說，在低頻大偏置電流的情況下，我們應該選擇較大尺寸的磁珠，而在高頻應用中，我們應該盡量選擇小尺寸的磁珠。
讓我們再來看一下兩個不同曲線特征的磁珠A和磁珠B應用于信號線時的情況(圖3)。磁珠A和磁珠B的阻抗峰值都在100MHz和200MHz之間，但磁珠A阻抗頻率曲線比較平坦，磁珠B則比較陡峭。
圖3：兩個不同曲線特征的磁珠A和磁珠B應用于信號線時的情況。我們將兩個磁珠分別放在20MHz的信號線上，看看對信號輸出會產生什么樣的影響(圖4)。
圖4：將兩個磁珠分別放在20MHz的信號線上。
用示波器分別測量磁珠輸出端的波形圖(圖5)，從輸出波形來看，磁珠B的輸出波形失真要明顯小于磁珠A。原因是磁珠B的阻抗頻率波形比較陡峭，其阻抗在200MHz時較高，只對200MHz附近的信號的衰減較大，但對頻譜很寬的方波波形影響較小。而磁珠A的阻抗頻率特性比較平坦，其對信號的衰減頻譜也比較寬，因此對方波的波形影響也較大。
圖5：磁珠輸出端的波形圖。
上述三種情況對應的EMI測試結果顯示，磁珠A和磁珠B都會對EMI噪聲產生很大的衰減。磁珠A在整個EMI頻譜范圍內的衰減要稍好于磁珠B。
因此，在具體選用磁珠時，阻抗頻率特性平坦型的磁珠A比較適合應用于電源線，而頻率特性比較陡峭的磁珠B則較適合應用于信號線。磁珠B在應用于信號線時，可以在盡量保持信號完整性的情況下，盡可能只對EMI頻率附近的噪聲產生最大的衰減。 |
