耦合電容和分布電容的選用
從電路來說，總是存在驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大，驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電，才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候，電流比較大，這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作。這就是耦合。
去藕電容就是起到一個(gè)電池的作用，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。旁路電容實(shí)際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合電容一般比較大，是10u 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)，以及驅(qū)動(dòng)電流的變化大小來確定。
旁路是把輸入信號(hào)中的干擾作為濾除對(duì)象，而去耦是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象，防止干擾信號(hào)返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個(gè)作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF 的去耦電容有5μH 的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz 左右，也就是說，對(duì)于10MHz 以下的噪聲有較好的去耦效果，對(duì)40MHz 以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF 的電容，并行共振頻率在20MHz 以上，去除高頻噪聲的效果要好一些每10 片左右集成電路要加一片充放電電容，或1 個(gè)蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴(yán)格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz 取0.01μF。
分布電容是指由非形態(tài)電容形成的一種分布參數(shù)。一般是指在印制板或其他形態(tài)的電路形式，在線與線之間、印制板的上下層之間形成的電容。這種電容的容量很小，但可能對(duì)電路形成一定的影響。在對(duì)印制板進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)一定要充分考慮這種影響，尤其是在工作頻率很高的時(shí)候。也成為寄生電容，制造時(shí)一定會(huì)產(chǎn)生，只是大小的問題。布高速PCB 時(shí)，過孔可以減少板層電容，但會(huì)增加電感。分布電感是指在頻率提高時(shí)，因?qū)w自感而造成的阻抗增加.
電容器選用及使用注意事項(xiàng)：
1，一般在低頻耦合或旁路，電氣特性要求較低時(shí)，可選用紙介、滌綸電容器；在高頻高壓電路中，應(yīng)選用云母電容器或瓷介電容器；在電源濾波和退耦電路中，可選用電解電容器。
2，在振蕩電路、延時(shí)電路、音調(diào)電路中，電容器容量應(yīng)盡可能與計(jì)算值一致。在各種濾波及網(wǎng)（選頻網(wǎng)絡(luò)），電容器容量要求精確；在退耦電路、低頻耦合電路中，對(duì)同兩級(jí)精度的要求不太嚴(yán)格。
3，電容器額定電壓應(yīng)高于實(shí)際工作電壓，并要有足夠的余地，一般選用耐壓值為實(shí)際工作電壓兩倍以上的電容器。
4，優(yōu)先選用絕緣電阻高，損耗小的電容器，還要注意使用環(huán)境。
讀《耦合電容和分布電容的選用》有感：一字之差，繆以千里！
數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF 的去耦電容有5μH 的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz 左右。也就是說，對(duì)于10MHz 以下的噪聲有較好的去耦效果，對(duì)40MHz 以上的噪聲幾乎不起作用。
首先：其中0.1uF電容有5uH的分布電感，5uH是5nH吧？根據(jù)電容電感并行共振頻率公式f=1/2π√LC得出共振頻率在225KHz左右，而實(shí)測(cè)頻率確實(shí)大約在7MHz左右。
1μF、10μF 的電容，并行共振頻率在20MHz 以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。
其次：根據(jù)上面的理論，稍微仔細(xì)點(diǎn)就可看出，1uF實(shí)際上是1nF。后面的結(jié)論是正確的，實(shí)際情況也是這樣。
每10 片左右集成電路要加一片充放電電容，或1 個(gè)蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。
要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。
{0{[/r M%]$j0再次：電解電容應(yīng)該指的是鋁電解電容了，如果只說電解電容，那么鉭電容也是了。另外，僅從結(jié)構(gòu)上說是不完全正確的。大家都知道，電解電容容量高，根據(jù)f=1/2π√LC就清楚該用在什么頻率范圍內(nèi)。聚碳酸酯電容也有卷饒工藝的嘛。電容的選型要根據(jù)頻率的大小選擇容值、耐壓、溫度系數(shù)、DF值、壽命等合乎要求的型號(hào)和系列。高頻電路中則不要把電容當(dāng)作一個(gè)單純的容性器件看待，而是一個(gè)電阻、電容（主要因素）、電感（主要因素）的電路模型。
去耦電容的選用并不嚴(yán)格，可按C=1/F，即10MHz，取0.1μF，100MHz 取0.01μF。
最后：這句話是對(duì)的。經(jīng)驗(yàn)之談。
供初學(xué)者加深理解！
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