Navitas(音譯:納薇)半導體今天宣布重大技術突破，推出業界首個集成半橋氮化鎵(GaN)功率IC。半橋電路是電力電子行業的重要基礎，可以廣泛應用到智能手機和筆記本充電器，電視，太陽能電池板，數據中心和電動汽車。
Navitas專有的AllGaN半橋氮化鎵(GaN)功率IC采用iDrive™單芯片技術，集成了所有半橋功能，提供高達2MHz開關速度，在提供更快充電的同時，大大減少尺寸，成本和重量。硅的半橋組件開關速度緩慢，寄生功率損耗高，開關速度比氮化鎵(GaN)慢30倍。
第一個半橋氮化鎵(GaN)功率IC產品是650V的NV6250，采用6x8mm QFN封裝，具有上下管驅動器，電平轉換器，兩個560mohm功率FET，自舉電路和多種保護功能。簡單數字PWM輸入信號在所有頻率下能輕松驅動半橋，為電源系統設計人員提供了極大的易用性和布局靈活性。 NV6250與業界IC合作伙伴的模擬和數字控制器兼容。
Navitas全球銷售和營銷副總裁Stephen Oliver說：“采用有源鉗位反激電路（Active Clamp Flyback, ACF），NV6250適合用于20W至30W的智能手機快速充電器，平板電腦，IoT，可穿戴設備等的外部適配器。我們計劃推出65W ACF 半橋氮化鎵(GaN) IC，可用在200WLLC拓撲中”
Navitas首席執行官Gene Sheridan說：“這是電力電子領域激動人心的時刻。高壓，高速的電力系統已經現實可行，這將使新型的高密度，快速充電和低成本的電力系統成為可能。Navitas首次在2015年的APEC 展示了單芯片半橋技術，我們已經與合作伙伴緊密合作，設計有突破性尺寸和效率的下一代適配器和充電器。我們早前宣布的AllGaN平臺的JEDEC認證說明了氮化鎵(GaN)功率管已經成熟和可以量產”
“半橋拓撲在高頻應用中常常遇到的困難是如何精確，快速，高效地對上管開關供電和控制。”Delta作為全球電源設計和制造的領導者，其全球研發高級副總裁Milan M. Jovanovic博士說到“通過集成電平轉換，自舉和雙驅動這些重要功能，所有在氮化鎵(GaN)應用中主要挑戰已經解決，為MHz級高壓電源系統的設計鋪平了道路。”
麻省理工電力電子研究集團（MIT Power Electronics Research Group）的領頭人David Perreault教授說，“麻省理工學院在研究高頻功率變換器有十多年經驗。在許多設計中的一個關鍵技術瓶頸是驅動高端管時高速電平轉換和門極驅動的限制，隨著集成高速門極驅動的高壓氮化鎵(GaN)功率IC的推出，高速驅動在許多應用中有巨大的潛力。恭喜Navitas！”
Navitas現在可以提供NV6250的樣品和樣機，NV6250計劃于2017年第二季度開始生產。合格的客戶請聯系Navitas。
Navitas將在2017年3月26日至30日在佛羅里達州坦帕市的應用電力電子會議（APEC）舉辦期間展示NV6250和其他AllGaN™GaN功率IC。請致電+1 ThinkGaNIC（844-654-2642）預定展示。 |
