| 想了解當下快速充電技術面臨哪些挑戰(zhàn)？想知道TI的快速充電產品技術有哪些優(yōu)勢？想獲得專業(yè)的講解為你的作品提供設計思路？
在2018AETF亞太消費電子技術論壇峰會上，來自TI的BMS中國市場和應用經理——文司華（Simon Wen）進行了主題為“TI 新生代高效充電芯片”的演講，為大家分析了快速充電為系統(tǒng)設計帶來的挑戰(zhàn)，并且講解了TI電源管理解決方案和產品如何助力手機的設計與開發(fā)。
快速充電設計面臨挑戰(zhàn)
隨著智能手機性能需求不斷提高，TI也在推陳出“芯“和優(yōu)化產品，以提供更小的方案尺寸和更優(yōu)質的用戶體驗。在TI，你將了解到全新酷炫的消費電子技術，以及它們如何助力設計和產品開發(fā)。
文司華表示：“想要實現快速充電所要面臨的挑戰(zhàn)是很多的，如何突破傳統(tǒng)適配器輸入功率限制？在許可的終端設備的外殼溫度下，如何最大化充電電流？如何讓充電芯片提升功率轉化效率，降低損耗？如何在快充情況下，保證電池安全及壽命？這些都是我們需要思考并解決的問題”。
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效率提升為什么是關鍵？
從TI的芯片數據來看，早一代芯片產品是黃色線條，新產品是藍色線條。可以看到，效率差，損耗會更高，如果效率提高2.5%，在同等的熱損要求下，電流提升可以達到27%。即基本上1%的效率提升能夠允許10%的電流提升。提高效率，能較大幅度的提升許可充電電流上限，從而帶來更大的充電設計自由度！
兩代芯片性能對比圖
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功率損耗和充電IC
從手機系統(tǒng)設計的層面看，高效率的DCDC降壓芯片（亦即目前充電芯片的主流構架）通常要求采用更大的電感以實現更小的損耗，但是在手機設計中，容許的空間是有限的，所以有時不得不犧牲效率并限制最大電流來減少電感體積。另外，許可的充電熱損取決于手機的具體設計目標，一般選擇在0.7~0.9W之間。在此前提下，依據效率和電流要求篩選充電芯片， 而且往往是先有一個基本充電電流的目標，再選取合適的充電芯片。單顆芯片功率不夠的情況下，可能會考慮雙充電芯片并行的構架。
功率損耗和充電IC
快速充電為我們帶來設計上的難度，依靠超高效率、小尺寸、高功率密度的新 Chargerbq25910可以突破這些挑戰(zhàn)，實現半小時內充電70%的飛躍！
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bq25910特點及優(yōu)勢
• 并聯充電器可在雙充電器配置下提供快速充電
• 高效的 750kHz 開關模式三級降壓并聯充電器
• 單個輸入，支持 USB 輸入和可調高壓適配器
• 靈活的 I 2 C 模式，可實現最優(yōu)系統(tǒng)性能
• 高集成度，包括所有 MOSFET、電流檢測和環(huán)路補償
• 待機模式下具有小于 10µA 的低電池泄漏電流
• 高精度
• 安全
• 采用 36 焊球 WCSP 封裝 |
