該系列新設備在符合JEDEC標準的11.5 x 13mm封裝中集成了96層BiCS FLASH™ 3D閃存和控制器。該控制器執行錯誤校正、耗損均衡、邏輯地址向物理地址的轉換以及壞塊管理等功能，便于簡化系統開發。
全部三款設備均符合JEDEC UFS Ver.3.0標準，包含HS-GEAR4，每個通道理論接口速度最高可達11.6Gbps（2通道=23.2Gbps），同時具備抑制功耗增加功能。512GB設備的順序讀取和寫入性能分別比上一代設備[5]提高了約70%和80%。
注
[1] 128GB設備樣品發貨即日啟動，該系列其他產品將在三月之后陸續啟動樣品發貨。 樣品規格將不同于商用產品的規格。
[2] 數據來源：東芝存儲器株式會社，截至2019年1月23日。
[3] 通用閃存(UFS)是一種產品類別，即一類根據JEDEC UFS標準規范生產的嵌入式存儲器產品。由于采用串行接口，UFS支持全雙工，支持在主處理機和UFS設備之間進行并發讀取和寫入。
[4] 產品存儲密度基于產品內置的內存芯片的密度來確定，而非最終用戶數據存儲的可用存儲器容量。由于開銷數據區域、格式設置、壞塊及其他制約因素，用戶可用容量會減少，根據不同的主機設備和應用，用戶可用容量可能也會有所差異。請參考適用的產品規格了解詳情。定義1GB = 230字節= 1,073,741,824字節。
[5] 東芝存儲器株式會社上一代256GB設備“THGAF8T1T83BAIR”
