三菱電機株式會社作為為降低太陽能發電和EV用充電器等電源系統的耗電量、縮小其體積做出貢獻的功率半導體新產品，對于采用了SiC※1耐壓1200V的「1200V SiC-SBD※2」5型將于2019年6月開始提供樣本，從2020年1月起依次發售。本產品將在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日～19日于日本幕張舉行),“PCIM Europe2019展”（5月7～9日于德國紐倫堡舉行）,“PCIM※1 Asia2019展”（6月26～28日于中華人民共和國上海舉行）上展出。
※1 Silicon Carbide：碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管
新產品的特點
1．通過采用SiC，為降低耗電量、縮小體積做出貢獻
・通過使用SiC大幅降低開關損耗，降低約21％的電力損耗※3
・實現高速開關，為縮小電抗器等配套零部件的體積做出貢獻
※3 與內置PFC電路的三菱電機產品功率半導體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si（硅）二極管相比
2．通過采用JBS結構，提高可靠性
・采用pn結與肖特基結相結合的JBS※4結構
・通過JBS結構提高浪涌電流耐量，從而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
3．由5個產品構成的產品陣容可對應各種各樣的用途
・除了通常的TO-247封裝外，還采用了擴大絕緣距離的TO-247-2封裝
除民用品外還可對應工業等各種各樣的用途
・產品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產品（BD20120SJ），也可對應車載用途
※5 Automotive Electronics Council：車載電子零部件質量規格
發售概要
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產品名
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型號
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封裝
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規格
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開始提供
樣品月份
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發售日期
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1200V
SiC-SBD
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BD10120P
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TO-247-2
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1200V/10A
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2019年
6月
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2020年
1月
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BD20120P
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1200V/20A
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BD10120S
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TO-247
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1200V/10A
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BD20120S
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1200V/20A
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BD20120SJ
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1200V/20A
AEC-Q101
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2020年
4月
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銷售目標
近年來，出于節能環保的考慮，人們對能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實現高速開關的功率半導體的期待逐漸高漲。三菱電機自2010年起陸續推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導體模塊，廣泛應用于空調以及工業機械、鐵路車輛的逆變器系統等，為降低家電及工業機械的耗電量，縮小其體積和重量做出了貢獻。
在這一背景下，此次將發售采用了SiC的功率半導體“SiC-SBD”。在電源系統中應用“SiC-SBD”，將為降低客戶的系統耗電量，縮小體積做出貢獻。
本產品的開發得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。
※6 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬酸化膜半導體製の電界効果トランジスタ
主要規格
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型號
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BD10120S
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BD10120P
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BD20120S（J）
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BD20120P
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規格
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1200V／10A
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1200V／20A
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耐浪涌電流
（絕對最大額定值）※7
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95A
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155A
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正向電壓（標準）Tj=25℃
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1.35V
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封裝
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TO-247
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TO-247-2
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TO-247
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TO-247-2
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封裝尺寸
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15.9 × 41.0 × 5.0mm
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※7 8.3msec, sine wave
SiC-SBD系列的產品陣容
粗框內為本次的新產品。
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產品名
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型號
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規格
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封裝
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供應狀況
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電壓［V］
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電流［A］
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SiC-SBD
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BD10120S
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1200
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10
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TO-247
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自2019年6月起
開始提供樣品
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BD10120P
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TO-247-2
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BD20120S
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20
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TO-247
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BD20120SJ
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TO-247
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BD20120P
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TO-247-2
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BD20060S
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600
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TO-247
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正在提供樣品
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BD20060A
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TO-263S
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BD20060T
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TO-220FP-2
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已批量生產
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