| 在便攜式產品設計中，模擬開關一直以來都主要是作為音頻信號切換器來使用。隨著雙卡雙模手機的普及，模擬開關成了雙卡切換必備的選擇;最新的數字電視DVB，CMMB等在一定的條件下也需要使用模擬開關。那么選擇這些開關時需要注意哪些設計問題呢?
在便攜式產品設計中，模擬開關一直以來都主要是作為音頻信號切換器來使用。隨著雙卡雙模手機的普及，模擬開關現在已成了雙卡切換的必備選擇。最新的數字電視DVB、CMMB等應用在一定條件下也需要使用模擬開關。本文重點闡述為便攜式產品選擇模擬開關時需考慮的設計參數和關鍵事項。
低導通電阻是模擬開關在音頻切換用途時的主要選擇因素。值得注意的是，導通電阻是針對具體的VCC 、VIN(電壓輸入)及給定負載電流而定義的。在晶體管級，RON為器是長度(L)、寬度(W)、電子與空穴遷移率、氧化層電容、門限電壓及信號電壓的函數。如下所示：
RON會隨著電源電壓的增加而減小。圖1顯示了上海英聯電子科技有限公司(下文簡稱英聯電子)的UM4684在不同電源電壓上測得的RON。導通電阻平坦度(RFLAT)即表示RON隨著VIN在0V至VCC或V-至V+)間變化而變化的情況，它是引起THD的主要原因。
隔離度是用來衡量開關導通通道與關閉通道之間的“噪聲”的指標。它在指定頻率上測量，是關閉通道輸入與輸出之間的耦合。串擾是模擬輸入通道與另一通道之間的交叉耦合，有兩種形式：鄰近通道與非鄰近通道。這兩種參數都以dB表示。在電路設計中通常是一起考慮串擾、隔離度與帶寬指標。雖然某些模擬開關的輸入帶寬高達數百兆赫，但其帶寬指標本身的意義并不大，因為高頻下的關斷隔離度和串擾都明顯變得更糟糕。
例如，在1MHz頻率下的典型開關關斷隔離度為70dB，典型的串擾為-85dB。由于這兩項指標都按20dB/+倍頻下降，所以在100MHz頻率下，關斷隔離度下降為30dB，而串擾增加到-45dB。因此，僅僅考慮帶寬是不夠的，必須考慮在高頻工作條件下這兩項指標是否都能滿足應用要求。
便攜式產品通常由電池供電，因此功耗是選擇模擬開關時的一個重要考慮因素。大部分便攜式系統需要多種不同的供電電壓。模擬開關的供電可能來自于電池或經過電源管理模塊調節過的電源輸出，開關的控制輸入信號也可能來自于電源電壓不同的ASIC。當控制輸入電壓等于0或VCC時，CMOS控制電路的功耗非常低。
但對模擬開關而言，只要控制信號輸入電平保持在大于VIH最小值或者小于VIL最大值，開關便會識別控制信號的高低電平。此時控制電壓離0和VCC越遠，功耗越大，如圖2中的紅色曲線所示。更新的ASIC設計逐步走向更小幾何尺寸的工藝，這限制了它們的電壓裕量，因此在新的系統設計中，驅動控制管腳的電壓不再等于模擬開關的供電電壓。如果使用普通的模擬開關，開關電流消耗通常大于1mA，這將導致過多功耗。
對于某些開關，電流消耗甚至高達幾毫安，對功耗敏感的便攜式設備而言，這樣的功耗是無法接受的。大多數標準模擬開關的產品說明書只給出了典型情況下(即開關輸入控制信號的高電平與開關供電電壓一致)的功耗指標，這容易讓設計工程師感到混淆，他們會驚奇地發現在低壓ASIC設計中的模擬開關竟有幾毫安的漏電流。英聯電子的模擬開關改善了控制電路的輸入緩沖器，只要芯片的控制輸入電壓大于VIH或小于VIL內，而不是等于0V或VCC，也能保持非常小的功耗。從圖2可看到采用該技術的英聯電子UM3157模擬開關與普通的同系列模擬開關在ICCT上的顯著區別。 |
