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| 東芝存儲器公司推出面向嵌入式應用的新型NAND閃存產品，以支持高速數(shù)據(jù)傳輸 |
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| 文章來源：永阜康科技 更新時間：2019/9/29 9:40:00 |
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新加入到產品陣容中的第二代串行接口NAND產品具有更高的性能和容量
全球存儲器解決方案領導者東芝存儲器公司(Toshiba Memory Corporation)今日宣布，該公司已推出其第二代NAND閃存產品系列，這些產品具有更高的性能和容量[1]，適用于嵌入式應用，可支持高速數(shù)據(jù)傳輸。新推出的串行接口NAND產品與廣泛使用的串行外圍設備接口(SPI)兼容，適用于各種消費、工業(yè)和通信應用。樣品于即日起出貨，計劃從10月開始量產。
隨著器件在物聯(lián)網和通信應用中的體積逐漸縮小，對小型封裝的大容量閃存的需求則日益增長，而小型封裝能夠以低引腳數(shù)量處理高速數(shù)據(jù)傳輸。由于與廣泛使用的SPI兼容，這些串行接口NAND產品可以用作低引腳數(shù)、小型封裝和大容量的SLC NAND閃存產品。
為了能夠支持高速數(shù)據(jù)傳輸，新的第二代串行接口NAND產品提供高于現(xiàn)有第一代產品[1]的性能，包括133兆赫(MHz)的工作頻率和程序x4模式。此外，該系列還增加了8Gb（1千兆字節(jié)）[2]器件，以滿足對更大存儲容量的需求。
新產品概況
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產品名稱
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容量
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輸入/輸出
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電壓
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封裝
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量產時間
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TC58CVG0S3HRAIJ
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1Gb
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1倍、2倍、4倍
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3.3V
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8引腳
WSON[3]
(6mm x 8mm)
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2019年10月
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TC58CYG0S3HRAIJ
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1.8V
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2019年10月
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TC58CVG1S3HRAIJ
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2Gb
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3.3V
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2019年10月
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TC58CYG1S3HRAIJ
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1.8V
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2019年10月
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TC58CVG2S0HRAIJ
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4Gb
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3.3V
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2019年10月
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TC58CYG2S0HRAIJ
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1.8V
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2019年10月
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TH58CVG3S0HRAIJ
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8Gb
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3.3V
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2019年12月
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TH58CYG3S0HRAIJ
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1.8V
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2019年12月
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主要特點
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容量
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1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb
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分頁大小
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2KByte (1Gb, 2Gb)，4KByte (4Gb, 8Gb)
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接口
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串行外圍設備接口,型號0，型號3
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供電電壓
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2.7至3.6V，1.7至1.95V
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工作溫度范圍
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-40 oC至85 oC
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特性
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• 133MHz工作頻率
• 程序 / 讀取4種模式
• 高速順序讀取功能
• ECC功能（開/關，位翻轉計數(shù)報告）
• 數(shù)據(jù)保護功能（能夠保護特定的塊）
• 參數(shù)頁面功能（能夠在器件上輸出詳細的信息）
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| 產品型號 |
功能介紹 |
兼容型號 |
封裝形式 |
工作電壓 |
備注 |
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2X20W/12V/4Ω或33W/16V/4Ω |
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ESOP-16 |
5V-18V |
擴頻功能,低空載電流,40倍增益,免濾波,2X20W&33W(PBTL) D類音頻放大器 |
| CS5090 |
CS5090E是一款5V輸入,最大1.5A充電電流,支持雙節(jié)鋰電池串聯(lián)應 用,鋰離子電池的升壓充電管理IC.CS5090E集成功率MOS,采用異步開關架構，使其在應用時僅需極少的外圍器件，可有效減少整體方案 尺寸，降低BOM成本 。 |
CS5080/CS5082 |
ESOP-8 |
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5V USB輸入,最大1.5A充電電流,帶NTC,雙節(jié)鋰電升壓充電管理電路 |
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ESOP-8 |
2.7V-13V |
ESOP-8帶輸出關斷的13V、10A同步升壓IC |
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