鋰電池是生活中常用電池類型之一,對于鋰電池,我們自然也是十分熟悉。為增進大家對鋰電池的認識,本文將對鋰電池保護板予以介紹,主要內容在于講解鋰電池保護板故障判斷問題。

鋰電池異常原因匯總,包括鋰電池容量,鋰電池內阻,鋰電池電壓,尺寸超厚,斷路等,電池之都進行了簡單匯總并分享給大家。
一、電池容量低
產生原因:a. 附料量偏少;b. 極片兩面附料量相差較大;c. 極片斷裂;d. 電解液少;e. 電解液電導率低;f. 正極與負極配片未配好;g. 隔膜孔隙率小;h. 膠粘劑老化→附料脫落;i. 卷芯超厚(未烘干或電解液未滲透)j. 分容時未充滿電;k. 正負極材料比容量小。
二、電池內阻高
產生原因:a. 負極片與極耳虛焊;b. 正極片與極耳虛焊;c. 正極耳與蓋帽虛焊;d. 負極耳與殼虛焊;e. 鉚釘與壓板接觸內阻大;f. 正極未加導電劑;g. 電解液沒有鋰鹽;h. 電池曾經發生短路;i. 隔膜紙孔隙率小。
三、電池電壓低
產生原因:
a. 副反應(電解液分解;正極有雜質;有水);b. 未化成好(SEI 膜未形成安全);c. 客戶的線路板漏電(指客戶加工后送回的電芯);d. 客戶未按要求點焊(客戶加工后的電芯);e. 毛刺;f. 微短路;g. 負極產生枝晶。
四、超厚
a. 焊縫漏氣;b. 電解液分解;c. 未烘干水分;d. 蓋帽密封性差;e. 殼壁太厚;f. 殼太厚;g. 卷芯太厚(附料太多;極片未壓實;隔膜太厚)。

五、電池化成異常
a. 未化成好(SEI 膜不完整、致密);b. 烘烤溫度過高→粘合劑老化→脫料;c. 負極比容量低;d. 正極附料多而負極附料少;e. 蓋帽漏氣,焊縫漏氣;f. 電解液分解,電導率降低。
六、電池爆炸
a. 分容柜有故障(造成過充);b. 隔膜閉合效應差;c. 內部短路。
七、電池短路
a. 料塵;b. 裝殼時裝破;c. 尺刮(隔膜紙太小或未墊好);d. 卷繞不齊;e. 沒包好;f. 隔膜有洞;g. 毛刺
八、電池斷路
a)極耳與鉚釘未焊好,或者有效焊點面積小;b)連接片斷裂(連接片太短或與極片點焊時焊得太靠下)

九、無閃現、輸出電壓低、帶不起負載
此類不良首要排除電芯不良(電芯原本無電壓或電壓低),假設電芯不良則應檢驗保護板的自耗電,看是否是保護板自耗電過大導致電芯電壓低。假設電芯電壓正常,則是因為保護板整個回路不通(元器件虛焊、假焊、FUSE 不良、PCB 板內部電路不通、過孔不通、MOS、IC 損壞等)。具體分析
過程如下:
(一)、用萬用表黑表筆接電芯負極,紅表筆依次接 FUSE、R1 電阻兩端,IC 的 Vdd、Dout、Cout 端,P+端(假定電芯電壓為 3.8V),逐段進行分析,此幾個檢驗點都應為 3.8V。若不是,則此段電路有問題。
1、FUSE 兩端電壓有改動:檢驗 FUSE 是否導通,若導公例是 PCB 板內部電路不通;若不導公例 FUSE 有問題(來料不良、過流損壞(MOS 或 IC 操控失效)、質料有問題(在 MOS 或 IC 動作之前 FUSE 被燒壞),然后用導線短接 FUSE,持續往后分析。
2、R1 電阻兩端電壓有改動:檢驗 R1 電阻值,若電阻值失常,則或許是虛焊,電阻自身開裂。若電阻值無失常,則或許是 IC 內部電阻出現問題。
3、IC 檢驗端電壓有改動:Vdd 端與 R1 電阻相連。Dout、Cout 端失常,則是因為 IC 虛焊或損壞。
4、若前面電壓都無改動,檢驗 B- 到 P+間的電壓失常,則是因為保護板正極過孔不通。
(二)、萬用表紅表筆接電芯正極,激活 MOS 管后,黑表筆依次接 MOS 管 2、3 腳,6、7 腳,P- 端。
1.MOS 管 2、3 腳,6、7 腳電壓有改動,則標明 MOS 管失常。
2. 若 MOS 管電壓無改動,P- 端電壓失常,則是因為保護板負極過孔不通。
十、短路無保護
1、VM 端電阻出現問題:可用萬用表一表筆接 IC2 腳,一表筆接與 VM 端電阻相連的 MOS 管管腳,供認其電阻值大小。看電阻與 IC、MOS 管腳有無虛焊。
2、IC、MOS 失常:因為過放保護與過流、短路保護共用一個 MOS 管,若短路失常是因為 MOS 出現問題,則此板應無過放保護功用。
3、以上為正常情況下的不良,也或許出現 IC 與 MOS 裝備不良引起的短路失常。如前期出現的 BK-901,其型號為‘312D’的 IC 內延遲時間過長,導致在 IC 作出相應動作操控之前 MOS 或其它元器件已被損壞。注:其間供認 IC 或 MOS 是否發作失常最簡易、直接的方法便是對有懷疑的元器件進行替換。

十一、短路保護無自恢復
1、規劃時所用 IC 原本沒有自恢復功用,如 G2J,G2Z 等。
2、儀器設置短路恢復時間過短,或短路檢驗時未將負載移開,如用萬用表電壓檔進行短路表筆短接后未將表筆從檢驗端移開(萬用表相當于一個幾兆的負載)。
3、P+、P- 間漏電,如焊盤之間存在帶雜質的松香,帶雜質的黃膠或 P+、P- 間電容被擊穿,ICVdd 到 Vss 間被擊穿。(阻值只有幾 K 到幾百 K)。
4、假設以上都沒問題,或許 IC 被擊穿,可檢驗 IC 各管腳之間阻值。
十二、內阻大
1、因為 MOS 內阻相對比較穩定,出現內阻大情況,首要懷疑的應該是 FUSE 或 PTC 這些內阻相對比較簡單發作改動的元器件。
2、假設 FUSE 或 PTC 阻值正常,則視保護板結構檢測 P+、P- 焊盤與元器件面之間的過孔阻值,或許過孔出現微斷現象,阻值較大。
3、假設以上多沒有問題,就要懷疑 MOS 是否出現失常:首要供認焊接有沒有問題;其次看板的厚度(是否簡單彎折),因為彎折時或許導致管腳焊接處失常;再將 MOS 管放到顯微鏡下觀測是否破裂;終究用萬用表檢驗 MOS 管腳阻值,看是否被擊穿。
十三、ID 失常
1、ID 電阻自身因為虛焊、開裂或因電阻質料不過關而出現失常:可從頭焊接電阻兩端,若重焊后 ID 正常則是電阻虛焊,若開裂則電阻會在重焊后從中裂開。
2、ID 過孔不導通:可用萬用表檢驗過孔兩端。
3、內部線路出現問題:可刮開阻焊漆看內部電路有無斷開、短路現象。 |