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RA1C030LD 具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
文章來(lái)源:永阜康科技 更新時(shí)間:2022/12/2 10:37:00
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非常有助于提高無(wú)線耳機(jī)和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運(yùn)行安全性!

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”,該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無(wú)線耳機(jī)等可聽(tīng)戴設(shè)備、智能手機(jī)等輕薄小型設(shè)備的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

近年來(lái),隨著小型設(shè)備向高性能化和多功能化方向發(fā)展,設(shè)備內(nèi)部所需的電量也呈增長(zhǎng)趨勢(shì),電池尺寸的增加,導(dǎo)致元器件的安裝空間越來(lái)越少。另外,電池的尺寸增加也是有限制的,為了更有效地利用有限的電池電量,就需要減少用電元器件的功率損耗。

針對(duì)這種需求,開(kāi)發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業(yè)界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的優(yōu)勢(shì),通過(guò)靈活運(yùn)用其IC工藝,大大降低了在以往分立器件的工藝中會(huì)增加的布線電阻,開(kāi)發(fā)出功率損耗更低的小型功率MOSFET。

新產(chǎn)品采用融入了ROHM自有IC工藝的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝*2DSN1006-3(1.0mm×0.6mm),在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)還降低了功耗。與相同封裝的普通產(chǎn)品相比,表示導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間關(guān)系的指標(biāo)(導(dǎo)通電阻*3×Qgd*4)改善了20%左右,達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平(1.0mm×0.6mm以下封裝產(chǎn)品比較),非常有助于縮減各種小型設(shè)備電路板上的元器件所占面積并進(jìn)一步提高效率。另外,還采用ROHM自有的封裝結(jié)構(gòu),使側(cè)壁有絕緣保護(hù)(相同封裝的普通產(chǎn)品沒(méi)有絕緣保護(hù))。在受空間限制而不得不高密度安裝元器件的小型設(shè)備中,使用這款新產(chǎn)品可降低因元器件之間的接觸而導(dǎo)致短路的風(fēng)險(xiǎn),從而有助于設(shè)備的安全運(yùn)行。

新產(chǎn)品已于2022年11月開(kāi)始暫以月產(chǎn)1,000萬(wàn)個(gè)(樣品價(jià)格100日元/個(gè),不含稅)的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外,新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷售,通過(guò)Oneyac,Sekorm等電商平臺(tái)均可購(gòu)買。

ROHM將繼續(xù)開(kāi)發(fā)導(dǎo)通電阻更低、尺寸更小的產(chǎn)品,通過(guò)進(jìn)一步提高各種小型設(shè)備的效率,來(lái)為解決環(huán)保等社會(huì)課題貢獻(xiàn)力量。

<新產(chǎn)品的主要特性>

<應(yīng)用示例>

◇無(wú)線耳機(jī)等可聽(tīng)戴設(shè)備
◇智能手表、智能眼鏡、運(yùn)動(dòng)相機(jī)等可穿戴設(shè)備
◇智能手機(jī)

此外,還適用于其他各種輕薄小型設(shè)備的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

<電商銷售信息>

起售時(shí)間:2022年11月開(kāi)始

網(wǎng)售平臺(tái): Oneyac,Sekorm

在其他電商平臺(tái)也將逐步發(fā)售。

<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

*1) Nch MOSFET

通過(guò)向柵極施加相對(duì)于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。

相比Pch MOSFET,其漏源間的導(dǎo)通電阻更小,因此可減少常規(guī)損耗。

*2) 晶圓級(jí)芯片尺寸封裝

一種在整片晶圓上形成引腳并進(jìn)行布線等,然后再切割得到單個(gè)成品芯片的超小型封裝形式。與將晶圓切割成單片后通過(guò)樹(shù)脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同,這種封裝可以做到與內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片相同大小,因此可以縮減封裝的尺寸。

*3) 導(dǎo)通電阻

MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極和源極之間的電阻值。該值越小,導(dǎo)通時(shí)的損耗(功率損耗)越少。

*4) Qgd(柵極-漏極間電荷量)

MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通后,柵極和漏極間的電容充電期間的電荷量。該值越小,開(kāi)關(guān)速度越快,開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗(功率損耗)越小。

 
 
 
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產(chǎn)品型號(hào) 功能介紹 兼容型號(hào) 封裝形式 工作電壓 備注
DVC1036 DVC1036是一款采用車規(guī)級(jí)高壓BCD工藝設(shè)計(jì)的18-36節(jié)鋰電池組監(jiān)控芯片,通過(guò)四線式SPI接口與上位機(jī)進(jìn)行通信,形成一套完整的電池組管理系統(tǒng)(BMS)。 LQFP-80 42V-180V 18節(jié)至36節(jié)鋰電池組監(jiān)控芯片
DVC1024 DVC1024 是一款采用車規(guī)級(jí)高壓 BCD工藝設(shè)計(jì)的12-24節(jié)鋰電池組監(jiān)控芯片,通過(guò)四線式SPI接口與上位機(jī)進(jìn)行通信,形成一套完整的電池組管理系統(tǒng)(BMS)。 LQFP-64 28V-128V 12節(jié)至24節(jié)鋰電池組監(jiān)控芯片
DVC1018 DVC1018是一款采用車規(guī)級(jí)高壓BCD工藝設(shè)計(jì)的9-18節(jié)鋰電池組監(jiān)控芯片,通過(guò)四線式SPI接口與上位機(jī)進(jìn)行通信,形成一套完整的電池組 管理系統(tǒng)(BMS)。 LQFP-48 28V-90V 9 節(jié)至18節(jié)鋰電池組監(jiān)控芯片
DVC1012 DVC1012是一款采用車規(guī)級(jí)高壓BCD工藝設(shè)計(jì)的6-12節(jié)鋰電池組監(jiān)控芯片,通過(guò)四線式SPI接口與上位機(jī)進(jìn)行通信,形成一套完整的電池組 管理系統(tǒng)(BMS)。 LQFN-48 14V-64V 6節(jié)至12節(jié)鋰電池組監(jiān)控芯片
DVC1006 DVC1006 是一款采用車規(guī)級(jí)高壓BCD工藝設(shè)計(jì)的3-6節(jié)鋰電池組監(jiān)控芯片,通過(guò)四線式 SPI 接口與上位機(jī)進(jìn)行通信,形成一套完整的電池組管理系統(tǒng)(BMS)。 SSOP-24 7V-30V 3節(jié)至6節(jié)鋰電池組監(jiān)控芯片
 
 
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M12269 河北發(fā)電機(jī)組 HT366 ACM8629 HT338 

業(yè)務(wù)洽談:手機(jī):13713728695(微信同號(hào))   QQ:3003207580  EMAIL:panbo@szczkjgs.com   聯(lián)系人:潘波

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