英諾賽科宣布推出100V車規級氮化鎵器件INN100W135A-Q，該器件已通過AEC-Q101 認證，適用于自動駕駛及其他先進駕駛輔助系統應用中的車規級激光雷達、高功率密度DC-DC變換器、D類音頻。
在激光雷達領域，氮化鎵器件的Qg、Qoss等參數相比硅器件提升1.5~3倍；與早期激光雷達產品相比，采用氮化鎵能夠將開關速度提升13倍，脈沖寬度減小五分之一。當前，L2輔助駕駛使用MOS方案識別距離只有100m，L2+/L3輔助駕駛必須達到200m/300m的中遠距離識別，只有使用窄脈沖、大峰值電流、高功率的氮化鎵方案，才能為自動駕駛激光雷達提供高性能保障。
LiDAR System
產品特性
• 通過AEC-Q101認證，車規級
• 極低的柵極電荷
• 超小封裝 WLCSP 2.13mm x 1.63mm
• 零反向恢復充電電荷
應用領域
• 激光雷達
• 高功率密度DC-DC變換器
• D類音頻
• 高強度前照燈
產品優勢
• 相比硅器件，Qg、Qoss等參數有1.5~3倍的提升
• 相比硅器件，開關速度提升13倍，脈沖寬度減小到硅器件的1/5
• 達到200m/300m的中遠距離識別，滿足L2+/L3輔助駕駛
INN100W135A-Q 規格書首頁
2021年，英諾賽科（珠海）通過 IATF 16949 車規級認證，采用InnoGaN的激光雷達產品成功“上車”；2023年，英諾賽科（蘇州）通過 IATF 16949 車規級認證，新一代100V 低壓GaN 完成AEC-Q101認證并成功量產，批量訂單交付中。
INN100W135A-Q 產品規格書與仿真模型均可在英諾賽科官網（www.innoscience.com）獲取，樣品需求請聯系銷售或后臺私信小編。
英諾賽科是全球領先的第三代半導體高新技術企業，致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發與制造。擁有全球最大規模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產基地，當前產能15000片/月，產品設計及性能處于國際先進水平。英諾賽科提供從30V-700V的高、中、低壓全功率氮化鎵產品，涵蓋晶圓、分立器件、合封芯片三大品類，并為客戶提供全氮化鎵方案設計參考。自2015年成立至今，英諾賽科已獲專利700多項，累計出貨量突破4億顆。產品可廣泛應用于消費電子、數據中心、汽車電子及新能源等前沿領域。
英諾賽科，用氮化鎵打造綠色高效新世界！ |
