中國上海，2019年12月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導(dǎo)通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開始。
MOSFET產(chǎn)品圖
新產(chǎn)品是東芝首款[1]采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導(dǎo)通電阻有利于降低設(shè)備功耗；XPH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻。
應(yīng)用：
・汽車設(shè)備
電源裝置（DC-DC轉(zhuǎn)換器）和LED頭燈等（電機驅(qū)動、開關(guān)穩(wěn)壓器和負(fù)載開關(guān)）
特性：
・東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance（WF）封裝
・通過AEC-Q101認(rèn)證
・低導(dǎo)通電阻：
RDS(ON)=4.1mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
・采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOP Advance（WF）封裝
主要規(guī)格：
（除非另有說明，@Ta=25°C）
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器件型號
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XPH4R10ANB
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XPH6R30ANB
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極性
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N溝道
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絕對最大額定值
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漏源極電壓
VDSS
（V）
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100
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漏極電流
（DC）
ID
（A）
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70
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45
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漏極電流
（脈沖）
IDP
（A）
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210
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135
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溝道溫度
Tch
（℃）
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175
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漏源極導(dǎo)通電阻
RDS(ON)最大值
（mΩ）
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@VGS=6V
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6.2
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9.5
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@VGS=10V
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4.1
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6.3
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溝道至外殼熱阻
Zth(ch-c)
最大值
@Tc=25℃
（℃/W）
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0.88
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1.13
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封裝
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SOP Advance（WF）
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產(chǎn)品系列
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U-MOSVIII-H
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U-MOSVIII-H
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注釋：
[1] 截至2019年12月25日
[2] 在同樣規(guī)格的產(chǎn)品中，截至2019年12月25日。東芝調(diào)查。 |
