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存儲器及集成電路將成中美貿(mào)易戰(zhàn)關(guān)鍵
文章來源:永阜康科技 更新時間:2018/4/18 11:08:00
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目前來看,中美貿(mào)易摩擦有所緩和。不過,雙方尚未進(jìn)入貿(mào)易談判階段,最終事情會如何發(fā)展,尚難判斷。未來存儲器芯片可能會受到一定程度的影響,因為中國是全球存儲器最大的買家。

如果真的打起貿(mào)易戰(zhàn),那么美系記憶體大廠美光科技(Micron)將因其和英特爾(INTC)共同成立的IMFlashTechnologies(IM閃存技術(shù)合資企業(yè))一起受到影響,另外WesternDigital(西部數(shù)據(jù),全球第二大硬盤生產(chǎn)商)也或?qū)⑹艿讲啊_@三家公司總部都在美國,因此都屬于中美貿(mào)易摩擦的范圍之內(nèi)。

盡管中國對特朗普最初關(guān)稅清單的回應(yīng)側(cè)重于進(jìn)口到中國的農(nóng)產(chǎn)品,但該清單上升至106項,其中就包括使用內(nèi)存芯片的產(chǎn)品。相反,美國政府列出的1300種中國產(chǎn)品中,包括大量含有DRAMs(動態(tài)內(nèi)存)和NAND閃存(非易失性存儲技術(shù))芯片的高科技產(chǎn)品。

但從圖表1中可以清楚看到,中國在IC(集成電路)生產(chǎn)方面遠(yuǎn)沒有達(dá)到自給自足的程度。中國需要這些半導(dǎo)體,而這一場限制零部件供應(yīng)鏈的貿(mào)易戰(zhàn),將對中國制造的消費類高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)計劃產(chǎn)生負(fù)面影響。

InformaticaNetwork一篇題為《中國大陸的半導(dǎo)體設(shè)備市場:對技術(shù)、經(jīng)濟(jì)和政治問題的完整分析》的報告稱,中國的大規(guī)模投資終于顯示出優(yōu)勢,因為中國制造的集成電路與進(jìn)口到中國的比例從2016年的29.1%上升到2017年的32.2%。“中國2017年的IC產(chǎn)量為1739億,高于2016年的1303億。2017年,中國進(jìn)口IC數(shù)量為3661億,高于2016年的3177億。”

換句話說,中國消費了超過5000億個ICs用于制造智能手機(jī)和其他消費類產(chǎn)品,然后銷往全球各地。

然而中國的產(chǎn)量不足2000億。366億的缺口只能靠進(jìn)口,包括從上述提到的美國公司,以及韓國三星電子、半導(dǎo)體大廠海力士(SKHynix)和日本東芝處進(jìn)口的DRAN和NAND存儲芯片。存儲芯片約占進(jìn)口芯片的25%左右。

中國存儲芯片市場

中國需要進(jìn)口的存儲芯片,美光科技2017年度向美國境外客戶的銷售額總計175.6億美元,其中包括對中國內(nèi)地的103.9億美元銷售額,中國臺灣為25.4億美元,歐洲為13.6億美元,日本為10.3億美元以及其他亞太地區(qū)為18.1億美元,即對中國的銷售額占到海外銷售額的59.2%。而在203.2億美元的總銷售額中,中國也占到了51.1%。顯然,任何關(guān)稅或貿(mào)易戰(zhàn)都會對美光科技的收入產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。

此外,2017財年,西部數(shù)據(jù)在華收入占其總收入190.9億美元的22.37%,是所有地區(qū)中最高的,主要來自于NAND存儲器和硬盤驅(qū)動器。雖然對中國的敞口僅為美光科技的一半,但仍相當(dāng)可觀。

顯然,中國是這些公司的重要市場。但另一方面,由于中國芯片制造商還沒有制造這些器件,所以每年都有大量的存儲芯片進(jìn)口到中國。事實上,2017年中國存儲芯片消費約占總量的30%,其中DRAM需求占22%,NAND需求占29%。而這正是美國覺得在貿(mào)易談判中能有底氣的地方。

另一方面,如果貿(mào)易戰(zhàn)升級,可能會對電子產(chǎn)品中無處不在的存儲器產(chǎn)生不利影響,而這正是美光等公司增長的驅(qū)動力。中國有幾家公司涉足了專業(yè)的存儲器領(lǐng)域,因規(guī)模太小而未能成為全球存儲器公司巨頭,但有可能在該行業(yè)過度調(diào)整的情況下崛起。

中國公司兆易創(chuàng)新歷來是NORflash的供應(yīng)商。最近,該公司并購了ISSI,現(xiàn)在也供應(yīng)專業(yè)的DRAM和NAND。但考慮到這整個市場基本被三星、海力士以及美光三大廠商壟斷,未來一段時間內(nèi),兆易創(chuàng)新想要進(jìn)入DRAM和NANDFlash全球市場第一梯隊十分困難。該公司又從東芝購買了SLCNAND(SLC為NAND閃存架構(gòu)),并與博通、漫威、高通和英特爾公司之間有合作。圖2名單包含了有/沒有晶圓廠的中國公司。

如圖3所示,瑞士信貸(CreditSuisse)正跟蹤中國計劃在未來3年新建或升級的19個晶圓廠項目,其中2個DRAM晶圓廠和一個NAND晶圓廠計劃在2018年與英特爾一同擴(kuò)張。

搞事的特朗普或?qū)⒋靷鎯ζ鞴?/font>

目前的關(guān)稅談判和物品清單包括了包含存儲芯片的產(chǎn)品。《中國制造2025》提出,2020年國內(nèi)芯片自產(chǎn)率將達(dá)40%,作為芯片消費量比重最大的存儲芯片,實現(xiàn)進(jìn)口替代已經(jīng)成為一件迫在眉睫的事情。而中國對本土半導(dǎo)體產(chǎn)品自給自足的需求應(yīng)是避免貿(mào)易戰(zhàn)的催化劑。

如果這不起作用,特朗普可能將存儲芯片添加到關(guān)稅清單中。這對美國存儲器公司以及所有中國制造產(chǎn)品(如蘋果iPhone)的供應(yīng)鏈來說都是毀滅性的打擊。這是一個雙輸?shù)木置妗?/font>

此外,特朗普還可能會增加半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的關(guān)稅,甚至?xí)䦟γ绹O(shè)備供應(yīng)商,如美國應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials,全球最大納米制造技術(shù)企業(yè))、科林研發(fā)(LamResearch,全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備制造商)和科磊(KLA-Tencor)的產(chǎn)品實施禁運。

中國集成電路“自給自足”將成關(guān)稅談判關(guān)鍵

過去,中國一直投入大量資金大力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈,以期在半導(dǎo)體制造業(yè)能自力更生,這實際上縮小了圖表1中藍(lán)線和紅線之間的差距。

中國通過國家集成電路基金、各地區(qū)基金和私募股權(quán)基金的資金指定了總額高達(dá)1500億美元的投資。這些資金最初的目標(biāo)是海外并購和晶圓廠擴(kuò)張,但美國政府的抵制帶來了強(qiáng)大的并購阻力,僅在2016年,美國CFIUS(外國投資審查委員會)就否決了包括中資收購快捷半導(dǎo)體(Fairchild)、威騰電子(WD)以及德國半導(dǎo)體設(shè)備制造商愛思強(qiáng)(Aixtron)美國業(yè)務(wù)等多起案件。17年9月,特朗普正式簽署命令,阻止由中國支持的私募股權(quán)公司CanyonBridge收購美國芯片制造商萊迪思半導(dǎo)體公司(Lattice)的交易,標(biāo)志著美國建立了一道旨在阻止中國資本染指美國高科技公司的虛擬城墻。

因此中國改將注意力放在國內(nèi)的企業(yè)身上。在過去幾年里,由中國政府支持的中國集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金公司籌集了大約200億美元的資金,用于包括中興通訊和中芯國際在內(nèi)的20多家中國企業(yè)。目前,該基金公司正與政府機(jī)構(gòu)和企業(yè)進(jìn)行談判,以求多籌集220億美元,達(dá)到950億美元作為其第二筆投資資金。該基金將再次投資從IC設(shè)計和制造到芯片測試和封裝的廣泛領(lǐng)域。

“中國制造2025”規(guī)劃是中國始于2015年的一個十年計劃,目標(biāo)是10個戰(zhàn)略性先進(jìn)技術(shù)制造業(yè)的促進(jìn)和發(fā)展,其中的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)就包括集成電路及專用裝備。該規(guī)劃呼吁通過技術(shù)替代來實現(xiàn)“自給自足”,成為主導(dǎo)全球關(guān)鍵高科技產(chǎn)業(yè)的“制造業(yè)超級大國”。

但中國仍有很長的路要走,以使本國的芯片能滿足其所生產(chǎn)的高科技消費產(chǎn)品(主要面向蘋果(Apple)和三星等外國公司)的所有需求。

這就是為什么存儲器及集成電路將成為中美關(guān)稅談判的關(guān)鍵。中國在半導(dǎo)體制造業(yè)中實行自給自足的政策和財務(wù)支持將成為貿(mào)易談判的轉(zhuǎn)折點,這將使得對該行業(yè)征收關(guān)稅變得毫無意義。

 
 
 
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